- 解决方案|ICP法测定碳化硅材料中的铁、镁、钛、铝、钙、钠含量
碳化硅中微量元素分析主要采用原子吸收光谱法、电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-OES)法和电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法。本文根据国家标准GB/T3045-2017中电感耦合等离子体质谱法测定的方法,经过检测条件的...
- 解决方案|气相色谱法测定硅氧烷类纯度
精确确定硅氧烷类的纯度,对硅氧烷类的合成及性能研究是至关重要的。采用气相色谱法测定硅氧烷类纯度,分析过程简单,分析速度快。本文根据T/FSI 073-2021的方法,经过检测条件的优化,建立了GC-4100气相色谱仪...
- 解决方案|气相色谱法测定四甲基二乙烯基二硅氮烷和六甲基二硅氮烷纯度
精确确定材料中的杂质含量,测定硅氮烷类化合物的纯度是至关重要的,硅氮烷类纯度分析方法有多种,如色谱法、热分解法、热重分析法等,但色谱法是应用较为广泛的一种方法。采用气相色谱法测定硅氮烷类纯度,分析...
- 解决方案|气相色谱检测六氟化硫气体含量
六氟化硫(SF6)分子量145.05,密度6.602,熔点-50.5℃,升华温度-63.8℃,属于惰性非燃烧性气体,无色、无味、无臭、无毒。利用其化学稳定性好和对设备不腐蚀等特点,在工业中可用作保护剂和制冷剂及绝缘材料。附件下载
- 解决方案|微波消解-电感耦合等离子体发射光谱法测定电池材料中金属元素含量
微量金属的测试一般在原子吸收分光光度计(AAS)或电感耦合等离子体原子发射光谱分析仪(ICP-AES)上完成。但AAS测试中易受其他元素干扰严重,而且每次只能对一种元素进行测试,测试效率较低;而ICP-AES,不仅同时进...
- 解决方案|电感耦合等离子体发射光谱法测定电池材料中金属元素含量
微量金属的测试一般在原子吸收分光光度计(AAS)或电感耦合等离子体原子发射光谱分析仪(ICP-AES)上完成。但AAS测试中易受其他元素干扰严重,而且每次只能对一种元素进行测试,测试效率较低;而ICP-AES,不仅同时进...
- 解决方案|电感耦合等离子体发射光谱法测定电池材料中金属元素含量
微量金属的测试一般在原子吸收分光光度计(AAS)或电感耦合等离子体原子发射光谱分析仪(ICP-AES)上完成。但AAS测试中易受其他元素干扰严重,而且每次只能对一种元素进行测试,测试效率较低;而ICP-AES,不仅同时进...
- 解决方案|活化胶体钯中钯元素(Pd)含量分析
胶体钯,一种主要由氯化钯与氯化亚锡等反应制备而成的钯水,在塑料电镀行业当中的PCB(电路板)化学镀铜中有着广泛的应用。PCB基材是非金属导体,孔金属化工艺中,胶体钯活化液主要作用是实现电子元器件的电气连...
- 解决方案|GBC Quantima 电感耦合等离子体发射光谱仪测定材料中的镓、铁、硫、钒、铜、钙、镁、铝、锌含量
电感耦合等离子体发射光谱法具有灵敏度高、检出限低、干扰、线性范围宽等优点,在冶金、环境、食品、农业等各行各业得到了广泛的应用。本文利用GBC Quantima 电感耦合等离子体发射光谱仪,建立了测定半导体生产...
- 解决方案|ICP-OES法测定半导体材料制备工艺中镓、铁、钒、铜、钙、镁、铝、锌和硫含量
目前,我国已经成为最大的半导体市场,并且继续保持最快的增速。伴随着国内半导体核心材料技术的突破,预计我国半导体材料市场需求将得到更大释放。半导体材料的生产过程涉及多晶合成、单晶生长后的切割、磨边、...